通用
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装 | Tube |
| 产品状态 | 在产 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| 系列 | SiC Schottky MPS™ |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
机械
| Package / Case | TO-220-2 |
|---|---|
| 供应商器件封装 | TO-220-2 |
环境
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
|---|