通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7209 pF @ 800 V |
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装 | Tube |
| 产品状态 | 停产/老旧 |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| 最大功耗 | 583W (Tc) |
机械
| Package / Case | TO-247-3 |
|---|---|
| 供应商器件封装 | TO-247AB |
环境
| 工作温度 | 175°C (TJ) |
|---|