通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 10A |
|---|---|
| 基础料号 | GA10JT12 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1403 pF @ 800 V |
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| 最大功耗 | 170W (Tc) |
机械
| 封装 | Tube |
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环境
| 工作温度 | 175°C(TJ) |
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