通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 4A |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 1700 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) (95°C) |
| 最大功耗 | 106W (Tc) |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247AB |
环境
| 工作温度 | 175°C(TJ) |
|---|