G3R60MT07J-TR

GeneSiC Semiconductor

G3R60MT07J-TR

Datasheet

模拟与电源

650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET

在产TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

FET TypeN-Channel
制造商GeneSiC Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列G3R™, LoRing™
技术SiCFET (Silicon Carbide)

电气

漏源电压750 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A (Tc)
最大功耗182W (Tc)

机械

Package / CaseTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件封装TO-263-7

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)