通用
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 系列 | G3R™ |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 750 V |
|---|
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 系列 | G3R™ |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
| 漏源电压 | 750 V |
|---|
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |