G3R20MT17N

Name: G3R20MT17N
Brand: GeneSiC Semiconductor

模拟与电源

SIC MOSFET N-CH 100A SOT227

在产SOT-227-4, miniBLOC模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 75A, 15V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10187 pF @ 1000 V
制造商	GeneSiC Semiconductor
安装类型	Chassis Mount
Product Status	Active
系列	G3R™
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	±15V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 15mA

漏源电压	1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
最大功耗	523W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)