G2R1000MT33J

Name: G2R1000MT33J
Brand: GeneSiC Semiconductor

模拟与电源

SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7

在产TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	238 pF @ 1000 V
制造商	GeneSiC Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	G2R™
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 2mA

漏源电压	3300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)
最大功耗	74W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)