1N3879

GeneSiC Semiconductor

1N3879

模拟与电源

DIODE GEN PURP 50V 6A DO4

在产DO-203AA, DO-4, Stud模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号1N3879
制造商GeneSiC Semiconductor
安装类型Chassis, Stud Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)200 ns
技术Standard

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4 V @ 6 A
Current - Average Rectified (Io)6A
Current - Reverse Leakage @ Vr15 µA @ 50 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

机械

封装Bulk
Package / CaseDO-203AA, DO-4, Stud
供应商器件封装DO-4

环境

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C