GPIHV7DK

GaNPower

GPIHV7DK

Datasheet

模拟与电源

GaNFET N-CH 1200V 7A TO252

在产Tape & Reel (TR)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90 pF @ 700 V
制造商GaNPower
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.7V @ 3.5mA

电气

漏源电压1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A

机械

封装Tape & Reel (TR)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)