GPI65005DF

GaNPower

GPI65005DF

Datasheet

模拟与电源

GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6

在产Die模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds45 pF @ 400 V
制造商GaNPower
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 1.75mA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseDie
供应商器件封装Die

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)