SI4822DY

Fairchild Semiconductor

SI4822DY

模拟与电源

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 12.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2180 pF @ 15 V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Bulk
产品状态在产
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.5A (Ta)
最大功耗1W (Ta)

机械

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)