SI3457DV

Fairchild Semiconductor

SI3457DV

模拟与电源

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds470 pF @ 25 V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
最大功耗1.6W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装SuperSOT™-6

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)