SI3443DV

Name: SI3443DV
Brand: Fairchild Semiconductor

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6

停产/老旧SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 4.4A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1079 pF @ 10 V
制造商	Fairchild Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	HEXFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.4A (Ta)
最大功耗	2W (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)