SFW9Z24TM

Fairchild Semiconductor

SFW9Z24TM

模拟与电源

P-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 4.9A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 25 V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.7A (Tc)
最大功耗3.8W (Ta), 49W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252 (DPAK)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)