NDB6030PL

Fairchild Semiconductor

NDB6030PL

模拟与电源

30A, 30V, 0.025OHM, P-CHANNEL

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 19A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1570 pF @ 15 V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
最大功耗75W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D²PAK (TO-263AB)

环境

工作温度-65°C~175°C(TJ)