IRFR120

Fairchild Semiconductor

IRFR120

模拟与电源

8.4A, 100V, 0.27OHM, N-CHANNEL M

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 4.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds360 pF @ 25 V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.7A (Tc)
最大功耗2.5W (Ta), 42W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装DPAK

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)