HGT1S20N36G3VLS

Fairchild Semiconductor

HGT1S20N36G3VLS

模拟与电源

IGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNEL

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Gate Charge28.7 nC
输入类型Logic
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
Td (on/off) @ 25°C-/15µs
Test Condition300V, 10A, 25Ohm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 5V, 20A

电气

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)415 V
Current - Collector (Ic) (Max)37.7 A
Power - Max150 W

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装TO-263AB

环境

工作温度-40°C~175°C(TJ)