FQI4N80TU

Name: FQI4N80TU
Brand: Fairchild Semiconductor

模拟与电源

MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK

在产TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6Ohm @ 1.95A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	880 pF @ 25 V
制造商	Fairchild Semiconductor
安装类型	Through Hole
包装	Bulk
产品状态	在产
系列	QFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

漏源电压	800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.9A (Tc)
最大功耗	3.13W (Ta), 130W (Tc)

Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
供应商器件封装	TO-262 (I2PAK)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)