FQD3N50CTF

Fairchild Semiconductor

FQD3N50CTF

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

停产/老旧TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 1.25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds365 pF @ 25 V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列QFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Tc)
最大功耗35W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252, (D-Pak)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)