FDZ3N513ZT

Fairchild Semiconductor

FDZ3N513ZT

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP

在产4-XFBGA, WLCSP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs462mOhm @ 300mA, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds85 pF @ 15 V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+5.5V, -300mV
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A
最大功耗1W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / Case4-XFBGA, WLCSP
供应商器件封装4-WLCSP (1x1)

环境

工作温度-55°C~125°C(TJ)