FDZ2553N

Fairchild Semiconductor

FDZ2553N

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 9.6A 18BGA

停产/老旧18-WFBGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 9.6A, 4.5V
基础料号FDZ25
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1299pF @ 10V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.6A
Power - Max2.1W

机械

封装Bulk
Package / Case18-WFBGA
供应商器件封装18-BGA (2.5x4)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)