FDU6644

Fairchild Semiconductor

FDU6644

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-251-3 Stub Leads, IPAK模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3087 pF @ 15 V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C67A (Ta)
最大功耗1.6W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-251-3 Stub Leads, IPAK
供应商器件封装TO-251 (IPAK)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)