FDS6993

Fairchild Semiconductor

FDS6993

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 30V/12V 4.3A 8SOIC

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.3A, 10V
基础料号FDS69
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds530pF @ 15V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A, 6.8A
Power - Max900mW

机械

封装Bulk
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)