FDS6900S

Fairchild Semiconductor

FDS6900S

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.9A, 10V, 22mOhm @ 8.2A, 10V
基础料号FDS69
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 5V, 17nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds771pF @ 15V, 1238pF @ 15V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA, 3V @ 1mA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.9A (Ta), 8.2A (Ta)
Power - Max900mW (Ta)

机械

封装Bulk
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)