FDP7045L

Fairchild Semiconductor

FDP7045L

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4357 pF @ 15 V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tj)
最大功耗107W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220-3

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)