FDP6676S

Name: FDP6676S
Brand: Fairchild Semiconductor

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-220-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 38A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4853 pF @ 15 V
制造商	Fairchild Semiconductor
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
系列	PowerTrench®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±16V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	76A (Ta)
最大功耗	70W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)