FDP6676

Name: FDP6676
Brand: Fairchild Semiconductor

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-220-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 42A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5324 pF @ 15 V
制造商	Fairchild Semiconductor
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
系列	PowerTrench®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±16V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	84A (Ta)
最大功耗	93W (Tc)

工作温度	-65°C~175°C(TJ)