FDP4030L

Fairchild Semiconductor

FDP4030L

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds365 pF @ 15 V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大功耗37.5W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220-3

环境

工作温度-65°C~175°C(TJ)