FDD8451

Fairchild Semiconductor

FDD8451

模拟与电源

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds990 pF @ 20 V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta), 28A (Tc)
最大功耗30W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252, (D-Pak)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)