FDD6780A

Fairchild Semiconductor

FDD6780A

模拟与电源

16.4A, 25V, 0.0086OHM, N-CHANNEL

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 16.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1235 pF @ 13 V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16.4A (Ta), 30A (Tc)
最大功耗3.7W (Ta), 32.6W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装D-PAK (TO-252)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)