FDA20N50

Fairchild Semiconductor

FDA20N50

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN

停产/老旧TO-3P-3, SC-65-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 11A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3120 pF @ 25 V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列UniFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装TO-3PN