FCPF190N60E-F152

Fairchild Semiconductor

FCPF190N60E-F152

模拟与电源

FCPF190N60E - POWER MOSFET N-CHA

停产/老旧TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3175 pF @ 25 V
制造商Fairchild Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列*
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20.6A (Tj)
最大功耗39W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220F

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)