FBG10N05AC

EPC Space, LLC

FBG10N05AC

Datasheet

模拟与电源

GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A

在产4-SMD, No Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs44mOhm @ 5A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds233 pF @ 50 V
制造商EPC Space, LLC
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1.2mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)

机械

封装Tray
Package / Case4-SMD, No Lead
供应商器件封装4-SMD

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)