FBG04N30BC

EPC Space, LLC

FBG04N30BC

Datasheet

模拟与电源

GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B

在产4-SMD, No Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 30A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 20 V
制造商EPC Space, LLC
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列FSMD-B
技术GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 9mA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case4-SMD, No Lead
供应商器件封装4-SMD

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)