EPC8009

Name: EPC8009
Brand: EPC

模拟与电源

GANFET N-CH 65V 4A DIE

在产Die模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 500mA, 5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	52 pF @ 32.5 V
制造商	EPC
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	eGaN®
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)	+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Ta)

工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)