EPC2111

EPC

EPC2111

Datasheet

模拟与电源

GANFET 2N-CH 30V 16A DIE

在产Die模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
基础料号EPC211
配置2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 15V, 590pF @ 15V
制造商EPC
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 5mA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDie
供应商器件封装Die

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)