EPC2018

EPC

EPC2018

Datasheet

模拟与电源

GANFET N-CH 150V 12A DIE

已停产Die模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 6A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds540 pF @ 100 V
制造商EPC
安装类型Surface Mount
Product StatusDiscontinued at
系列eGaN®
技术GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 3mA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseDie
供应商器件封装Die

环境

工作温度-40°C ~ 125°C (TJ)