EPC2015C

EPC

EPC2015C

Datasheet

模拟与电源

GANFET N-CH 40V 53A DIE

在产Die模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 33A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1180 pF @ 20 V
制造商EPC
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列eGaN®
技术GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 9mA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C53A (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseDie
供应商器件封装Die

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)