EPC2012C

Name: EPC2012C
Brand: EPC

模拟与电源

GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

在产Die模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	140 pF @ 100 V
制造商	EPC
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	eGaN®
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)	+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA

漏源电压	200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Ta)

工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)