MMFTP6341KW

Diotec Semiconductor

MMFTP6341KW

Datasheet

模拟与电源

MOSFET, SOT-363, -30V, -5A, 150

在产SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 3A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950 pF @ 30 V
制造商Diotec Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
最大功耗1.5W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装SOT-363

环境

工作温度150°C (TJ)