DIT050N06

Diotec Semiconductor

DIT050N06

Datasheet

模拟与电源

MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, N, 8

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2050 pF @ 30 V
制造商Diotec Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
最大功耗85W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220AB

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)