DI200N10D2

Diotec Semiconductor

DI200N10D2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET, D2PAK, 100V, 200A, 175C

停产/老旧模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 120A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16800 pF @ 50 V
制造商Diotec Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
最大功耗340W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
供应商器件封装TO-263AB

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)