DI110N15PQ

Diotec Semiconductor

DI110N15PQ

Datasheet

模拟与电源

MOSFET, 150V, 110A, 56W

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 60A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3700 pF @ 75 V
制造商Diotec Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
最大功耗56W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-QFN (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)