DI0A35N06PGK-AQ

Diotec Semiconductor

DI0A35N06PGK-AQ

Datasheet

模拟与电源

MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 1

在产SC-101, SOT-883模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds32 pF @ 25 V
制造商Diotec Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA
最大功耗223mW

机械

封装Tape & Reel (TR)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101