DI001N65PTK

Diotec Semiconductor

DI001N65PTK

Datasheet

模拟与电源

MOSFET, PowerQFN 3x3, 650V, 1A

停产/老旧8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds209 pF @ 350 V
制造商Diotec Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tc)
最大功耗31.2W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-QFN (3x3)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)