ZXMP4A57E6TA

Diodes Incorporated

ZXMP4A57E6TA

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26

在产SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 4A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds833 pF @ 20 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Ta)
最大功耗1.1W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装SOT-26

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)