ZXMP10A13FTA

Diodes Incorporated

ZXMP10A13FTA

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 600mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds141 pF @ 50 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA (Ta)
最大功耗625mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)