ZXMHC3A01T8TA

Diodes Incorporated

ZXMHC3A01T8TA

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

在产SOT-223-8模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
基础料号ZXMHC3
配置2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 25V, 204pF @ 15V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A, 2A
Power - Max1.3W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-223-8
供应商器件封装SM8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)