ZXMHC10A07N8TC

Diodes Incorporated

ZXMHC10A07N8TC

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 1.5A, 10V
基础料号ZXMHC10A07
配置2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds138pF @ 60V, 141pF @ 50V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA, 680mA
Power - Max870mW

机械

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SO

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)